در این مقاله به بررسی شرایط بهینه برای تولید رادیوایزوتوپ 13N توسط واکنش 12C(d,n)13N در دستگاه پلاسمای کانونی با نرخ تکرار پرداخته شده است. با محاسبه‌ی اکتیویته‌ی طیف‌های تجربی دوترون و بررسی تأثیر نرخ تکرار بر روی اکتیویته ...

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ...

شواهد آزمایشگاهی قوی و آنالیز مقیاس بندی نشان داده است که رشد تومورها متعلق به کلاسجهانی 1 هستند. این نوع رشد توسط سه ویژگی توصیف میشود: 1( نرخ رشد خطی 2( محدودیت MBEتکثیر سلول در حاشیهی تومور )3( انتشار سطحی سلولها در ...

در سال های اخیر ضخامت گیت دی اکسید سیلیکون در تکنولوژی CMOSبه کمتر از دو نانومتر رسیده است. این تمایل بی سابقه به کوچککردن ترانزیستور ها، علاوه بر مزایای فراوان تکنولوژیکی، مشکلاتیهمچون افزایش تونل زنی کوانتومی، افزایش ...