| dc.contributor.author | فروزانی, قاسم | fa_IR |
| dc.contributor.author | کرمی, فاطمه | fa_IR |
| dc.contributor.author | مرادی, محمود | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1402-02-18T00:39:42Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2023-05-08T00:39:42Z | |
| dc.date.available | 1402-02-18T00:39:42Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2023-05-08T00:39:42Z | |
| dc.date.issued | 2022-05-22 | en_US |
| dc.date.issued | 1401-03-01 | fa_IR |
| dc.date.submitted | 2020-02-11 | en_US |
| dc.date.submitted | 1398-11-22 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | فروزانی, قاسم, کرمی, فاطمه, مرادی, محمود. (1401). بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX(X = Ga, In). پژوهش سیستم های بس ذره ای, 12(1), 67-76. doi: 10.22055/jrmbs.2022.17349 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2322-231X | |
| dc.identifier.issn | 2588-4980 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.22055/jrmbs.2022.17349 | |
| dc.identifier.uri | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_17349.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/971127 | |
| dc.description.abstract | با استفاده از نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX (X = Ga, In) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که V2ScIn دارای گاف نیم‌فلزی به اندازه 45/0 الکترون‌ولت است و یک فرومغناطیس نیم‌فلز می‌باشد که خاصیت نیم‌فلزی خود را در بازه نسبتا بزرگی از ثابت شبکه حفظ می‌کند. این ترکیب برای کاربردهای اسپینترونیک مناسب است. ترکیب V2ScGa رفتار فلزی از خود نشان می‌دهد. این ترکیبات تمام‌هویسلر از رابطه اسلیتر-پائولینگ پیروی می‌کنند و دارای مغناطش کل صحیحی می‌باشند. بعد از بررسی خواص اپتیکی این نتیجه حاصل شد که این ترکیبات می‌توانند گزینه مناسبی برای استفاده به عنوان جاذب امواج باشند. | fa_IR |
| dc.format.extent | 1337 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | دانشگاه شهید چمران اهواز | fa_IR |
| dc.publisher | Regional Information Center for Science and Technology (RICeST) | en_US |
| dc.relation.ispartof | پژوهش سیستم های بس ذره ای | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | Journal of Research on Many-body Systems | en_US |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org/10.22055/jrmbs.2022.17349 | |
| dc.subject | ترکیبات تمام‌هویسلر | fa_IR |
| dc.subject | نظریه تابعی چگالی | fa_IR |
| dc.subject | خواص اپتیکی | fa_IR |
| dc.subject | اسپینترونیک | fa_IR |
| dc.title | بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX(X = Ga, In) | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.type | مقاله پژوهشی کامل | fa_IR |
| dc.contributor.department | گروه فیزیک، دانشگاه پیام‌نور، ص.پ. 3697-19395، تهران، ایران | fa_IR |
| dc.contributor.department | گروه فیزیک، دانشگاه پیام‌نور، ص.پ. 3697-19395، تهران، ایران | fa_IR |
| dc.contributor.department | گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه شیراز، شیراز، ایران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 12 | |
| dc.citation.issue | 1 | |
| dc.citation.spage | 67 | |
| dc.citation.epage | 76 | |
