بررسی خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX(X = Ga, In)

Abstract

با استفاده از نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیبات تمام‌هویسلر V2ScX (X = Ga, In) مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که V2ScIn دارای گاف نیم‌فلزی به اندازه 45/0 الکترون‌ولت است و یک فرومغناطیس نیم‌فلز می‌باشد که خاصیت نیم‌فلزی خود را در بازه نسبتا بزرگی از ثابت شبکه حفظ می‌کند. این ترکیب برای کاربردهای اسپینترونیک مناسب است. ترکیب V2ScGa رفتار فلزی از خود نشان می‌دهد. این ترکیبات تمام‌هویسلر از رابطه اسلیتر-پائولینگ پیروی می‌کنند و دارای مغناطش کل صحیحی می‌باشند. بعد از بررسی خواص اپتیکی این نتیجه حاصل شد که این ترکیبات می‌توانند گزینه مناسبی برای استفاده به عنوان جاذب امواج باشند.