محاسبه ساختار نواری و بررسی تونل زنی رزونانس در نانو ترانزیستور اثر میدان شاتکی InP به روش تنگ بست با پایه *sp3d5s و تابع گرین غیر تعادلی
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
1.261 مگابایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی کامل
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله مشخصه های الکتریکی و تونل زنی رزونانس در نانو ترانزیستور اثر میدانی دوگیتی شاتکی با ماده کانال (ایندیوم فسفاید) InP به روش تابع گرین غیر تعادلی مورد بررسی قرار گرفته است. برخلاف ترانزیستور اثر میدان متداول با سورس و درین آلاییده شده، ترانزیستور شاتکی دارای سورس و درین فلزی میباشد و ساز و کار اصلی جریان در این افزاره تونلزنی مستقیم از سورس به کانال است. ساختار نواری افزاره دوگیتی که در آن حرکت حامل در یک جهت محدود شده است، به کمک روش تنگ بست با پایه *sp3d5s و تشکیل همیلتونین دوبعدی به ازای ضخامتهای مختلف کانال محاسبه گردیده است. با کاهش ضخامت کانال جرم موثر حاملها و سطح انرژی زیرنوارها نسبت به ساختار تودهای افزایش مییابد. همچنین، با کاهش ضخامت کانال، به دلیل افزایش کنترل گیت بر کانال مشخصه الکتریکی افزاره بهبود پیدا میکند. در ادامه، با افزایش ارتفاع سد شاتکی موثر به دلیل اثرات کوانتومی، در ولتاژ درین کوچک، یک چاه پتانسیل در امتداد کانال از سورس به درین تشکیل میگردد. در این حالت و در دمای پایین، تونل زنی رزونانس در این افزاره رخ میدهد. عوامل فیزیکی و ساختاری تاثیر گذار بر تونلزنی رزونانس به طور کامل مورد بررسی قرار گرفته است.
کلید واژگان
ساختار نواریروش تنگ بست
تابع گرین غیر تعادلی
ترانزیستور شاتکی
تونل زنی رزونانس
شماره نشریه
4تاریخ نشر
2021-02-191399-12-01
ناشر
دانشگاه شهید چمران اهوازRegional Information Center for Science and Technology (RICeST)
سازمان پدید آورنده
گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه آزاد سلامی واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ریشاپا
2322-231X2588-4980
