تهیه پوشش های نانوکامپوزیتی آلی- معدنی ضدالکتریسیته ساکن بر پایه اپوکسی/سیلیکا دارای نانوذراتITO

Abstract

در این پژوهش، پوش شهای پلیمری هیبریدی آلی/ معدنی بر پایه اپوکسی/ سیل کیا دارای مقادیر متفاوت نانوذرات ایندیم قلعا کسید تهیه شد و مقاومتا لکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، برای تهیه پوشش هیبریدیا ز پیش ماده های3-گلیسیداکسی پروپیل تری متوکسی سیلان و تترا متوکسی سیلان ، درحضور اتیلن دی آمین به عنوان عامل پخت استفاده شد و فرآیند در دمای پایین و با استفاده از روش سُل- ژل انجام گرفت. نتایج حاصل از آزمون تفرق نور لیزر نشان داد که اندازه ی ذرات در محلول سُل هیبریدی بدون حضور نانوذراتITOو محلول هیبریدی دارای نانوذرات ITOدر ابعاد نانومتری است. آزمون م کیروسکوپ الکترونی عبوری نشان داد که ذراتITOمکعبی شکل و اندازه آن ها بین20-50نانومتر است. تصاویر سطح و سطح مقطع پوششهیبریدی نانوکامپوزیتی توسط م کیروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که نانوذراتITOتوزیع مناسبی با ضخامتحدود 10 میکرومتر دارند.بررسی خواصا لکتریکی ضدالکتریسیته ساکن و خواص نوری نشان داد که مقاومتا لکتریکیسطحی پوشش ها با افزایش مقدار نانوذراتITOبطور قابل توجهی کاهش می یابد و در محدوده بین1%تا 2%وزنیاز نانوذرات، پوشش ها ضمن دارا بودن خواص الکتریکی در محدوده ضدالکتریسیته ساکن، از شفافیت بالایی (بالای80%) برخوردارند.با استفاده از آزمون طیف سنجی فلورسانس اشعۀایکس- پراکنش انرژی ، حضور و توزیع مناسب عناصرسیلیسم،ایندیم و قلع در پوشش های هیبریدین انوکامپوزیتی دارای نانوذراتITOتأیید شد.