| dc.contributor.author | جعفری, مصطفی | fa_IR |
| dc.contributor.author | فرهادنژاد, حسن | fa_IR |
| dc.contributor.author | قدیمی حرفه, فائزه | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-07-09T12:28:36Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-09-30T12:28:36Z | |
| dc.date.available | 1399-07-09T12:28:36Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-09-30T12:28:36Z | |
| dc.date.issued | 2016-05-21 | en_US |
| dc.date.issued | 1395-03-01 | fa_IR |
| dc.date.submitted | 2015-02-09 | en_US |
| dc.date.submitted | 1393-11-20 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | جعفری, مصطفی, فرهادنژاد, حسن, قدیمی حرفه, فائزه. (1395). تهیه پوشش های نانوکامپوزیتی آلی- معدنی ضدالکتریسیته ساکن بر پایه اپوکسی/سیلیکا دارای نانوذراتITO. مواد پیشرفته و پوشش های نوین, 4(16), 1119-1128. doi: /amnc.2016.4.16.3 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2322-1356 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org//amnc.2016.4.16.3 | |
| dc.identifier.uri | http://amnc.aut.ac.ir/article_68737.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/422770 | |
| dc.description.abstract | در این پژوهش، پوش شهای پلیمری هیبریدی آلی/ معدنی بر پایه اپوکسی/ سیل کیا دارای مقادیر متفاوت نانوذرات ایندیم قلعا کسید تهیه شد و مقاومتا لکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفت. بدین منظور، برای تهیه پوشش هیبریدیا ز پیش ماده های3-گلیسیداکسی پروپیل تری متوکسی سیلان و تترا متوکسی سیلان ، درحضور اتیلن دی آمین به عنوان عامل پخت استفاده شد و فرآیند در دمای پایین و با استفاده از روش سُل- ژل انجام گرفت. نتایج حاصل از آزمون تفرق نور لیزر نشان داد که اندازه ی ذرات در محلول سُل هیبریدی بدون حضور نانوذراتITOو محلول هیبریدی دارای نانوذرات ITOدر ابعاد نانومتری است. آزمون م کیروسکوپ الکترونی عبوری نشان داد که ذراتITOمکعبی شکل و اندازه آن ها بین20-50نانومتر است. تصاویر سطح و سطح مقطع پوششهیبریدی نانوکامپوزیتی توسط م کیروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که نانوذراتITOتوزیع مناسبی با ضخامتحدود 10 میکرومتر دارند.بررسی خواصا لکتریکی ضدالکتریسیته ساکن و خواص نوری نشان داد که مقاومتا لکتریکیسطحی پوشش ها با افزایش مقدار نانوذراتITOبطور قابل توجهی کاهش می یابد و در محدوده بین1%تا 2%وزنیاز نانوذرات، پوشش ها ضمن دارا بودن خواص الکتریکی در محدوده ضدالکتریسیته ساکن، از شفافیت بالایی (بالای80%) برخوردارند.با استفاده از آزمون طیف سنجی فلورسانس اشعۀایکس- پراکنش انرژی ، حضور و توزیع مناسب عناصرسیلیسم،ایندیم و قلع در پوشش های هیبریدین انوکامپوزیتی دارای نانوذراتITOتأیید شد. | fa_IR |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | انجمن علمی رنگ ایران | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | مواد پیشرفته و پوشش های نوین | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | Advanced Materials and New Coatings | en_US |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org//amnc.2016.4.16.3 | |
| dc.subject | اپوکسی/ سیلیکا | fa_IR |
| dc.subject | نانوکامپوزیت | fa_IR |
| dc.subject | نانوذراتITO آلی-معدنی | fa_IR |
| dc.subject | ضد الکتریسیته ساکن | fa_IR |
| dc.subject | سُل-ژل | fa_IR |
| dc.title | تهیه پوشش های نانوکامپوزیتی آلی- معدنی ضدالکتریسیته ساکن بر پایه اپوکسی/سیلیکا دارای نانوذراتITO | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.type | مقاله پژوهشی | fa_IR |
| dc.contributor.department | گروه نانو تکنولوژی، معاونت پژوهشی جهاد دانشگاهی فارس، شیراز، ایران | fa_IR |
| dc.contributor.department | کمیته پژوهشی دانشجویان، گروه فارماسیوتیکس و نانوفناوری دارویی، دانشکده داروسازی، دانشگاه علوم پزشکی شهید بهشتی، تهران، ایران. | fa_IR |
| dc.contributor.department | گروه علوم پلیمر، پژوهشکده علوم، پژوهشگاه پلیمر و پتروشیمی ایران، تهران، ایران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 4 | |
| dc.citation.issue | 16 | |
| dc.citation.spage | 1119 | |
| dc.citation.epage | 1128 | |
