ناپیوستگیهای نواری در ابر‌شبکه‌هایی با لایه‌های کرنش یافته

Abstract

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته InGa As / Ga As توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب In در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه Ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.