ترکیب YGdSm)123)با فرمول اسمیY0.33Gd0.33Sm0.33)Ba2Cu3Ox )همچنین YGdEu1 و YGdEu2 با فرمول اسمیY0.33Gd0.33Eu0.33) Ba2Cu3Ox )که دارای شرایط اکسیژن دهی متفاوت هستند ساخته شده اند. خواص مختلف ساختاری, ریخت شناسی, ترابردی و ...

طرحها و نقشهایی که شارش یک مایع ناهمگن (سوسپانسیون) روی سطوح شیبدار هموار تشکیل می دهند و نقشهای فراکتالی آنها مورد مطالعه قرار گرفتند. یک زاویه آستانه برای شیب وجود دارد که برای زوایای بالاتر از آن مقدار, نقشهای فراکتالی ...

مسیرهای الکترون در لیزر الکترون آزاد با میدان ویگلر مارپیچی واقعی و کانال یونی راهنما تجزیه و تحلیل شده و حالتهای پایدار و ناپایدار مدار الکترونی به دست آمده است. نتایج نشان می دهند پایداری مسیرهای الکترون (تک الکترون) در ...

تبدیل متان توسط پلاسمای پالسی تابان در فشار اتمسفر مورد بررسی قرار گرفت. محصولات این فرایند که هیدروژن, اتیلن, استیلن, اتان, پروپان و محصولاتی شامل تا پنج کربن بودند, توسط گاز کروماتوگرافی آشکار شدند. بازده انرژی پلاسما ...

ما در این مقاله با استفاده از یک مدل بستگی قوی, روش ماتریس انتقال و الگوریتم Lanczos, ماهیت حالتهای الکترونی و گسیل الکترون در زنجیرهای مدل فیبوناچی نوع جایگاهی, پیوندی و مخلوط را به صورت عددی بررسی می کنیم. برای مطالعه ...

ده سال از انتشار مجله پژوهش فیزیک ایران می گذرد. به این مناسبت تحولاتی در انتشار مجله تدارک دیده شده, از آن جمله افزایش تعداد شماره های سالانه به چهار و حذف چکیده مقالات بین المللی است. با ارایه آمارهایی از مقاله های دریافت ...

استفاده از پدیده تنگش پلاسما در سیستمهایی از قبیل تنگش Z و پلاسمای کانونی و ارتباط تنگاتنگ آن با امواج ضربه ای, مساله ای است که در چند سال اخیر خصوصا پس از مطرح شدن کاربردهای این سیستمها در گداخت هسته ای و موارد دیگر مورد ...

به کمک نظریه تابعی چگالی با تقریبهای پاسخ خطی PY و غیرخطی HNC پتانسیل بزرگ یک مایع با ملکولهای استوانه ای دوار و بیضی وار را نوشته و سپس با کمینه کردن آن معادله انتگرالی برای محاسبه چگالی چنین سیستمهایی را به دست می آوریم. ...

هدف ما در این مقاله یافتن آثار مشاهده پذیر از روابط جابه جاگری تعمیم یافته است. برای این منظور در ابتدا به دو مساله در مکانیک کوانتومی با فرض کمینه طول می پردازیم. نخست با استفاده از بررسی اختلالی طیف اتم هیدروژن در مکانیک ...

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته InGa As / Ga As توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری ...