شتابدهی مستقیم الکترون توسط لیزر از کانال پلاسمایی کم چگال مغناطیده
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
500.3کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی کامل
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله به بررسی شتابدهی طولی الکترون توسط پالس لیزر گاوسی در کانال پلاسمایی کمچگال و در حضور میدان مغناطیسی عرضی میپردازیم. پارامترهایی مانند دامنه وزاویه قطبش پالس لیزر، چگالی پلاسما و شدت میدان مغناطیسی تأثیر قابل توجهی بر دینامیک الکترونها دارند. نشان داده شده که حضور میدان مغناطیسی در کانال سبب افزایش آستانهی چگالی لازم برای شروع شتابدهی الکترون میشود. با بررسی وابستگی شتاب الکترون به پارامترهای مختلف در کانال پلاسمایی مغناطیده نتایج حاصل با پلاسمای غیر مغناطیده مقایسه شده است. با توجه به نتایج عددی در زاویهی قطبش وجود میدان مغناطیسی سبب افزایش شتاب الکترون در کانال پلاسمایی میشود.
کلید واژگان
شتابدهی الکترونکانال یونی
پلاسمای مغناطیده
شماره نشریه
1تاریخ نشر
2020-05-211399-03-01
ناشر
دانشگاه شهید چمران اهوازRegional Information Center for Science and Technology (RICeST)
سازمان پدید آورنده
دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایراندانشکده فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران
شاپا
2322-231X2588-4980
