مطالعه نظری خواص ساختاری، الکتریکی و نوری نانوکلاسترهایBen@C20 (n=1-6)

Abstract

دراین تحقیق، خواص ساختاری، الکتریکی و نوری فولرن C20همراه تعداد متفاوت از اتم های بریلیوم (Be) متصل برروی سطح آن بررسی شده است. نتایج نشان داد که پایداری نانوخوشه‌ها با اضافه‌کردن تعداد اتم‌های بریلیوم افزایش یافت و با افزایش تعداد اتم بریلیوم در اطراف C20، گاف HOMO-LUMO عموماً کاهش یافت ولی بیشترین کاهش در گاف انرژی (Eg) در دو ساختار Be4@C20-trans و Be6@C20 با گاف انرژی 69/0 و 49/0 دیده شد. همچنین خواصی مانند پتانسیل یونیزاسیون (I)،وابستگی الکترون (A)، پتانسیل شیمیایی (μ)،سختی کل (η)،نرمی کل (γ) ،الکترون‌دوستی (ω) و الکترونگاتیویته(χ) به عنوان خواص الکتریکی محاسبه شد. قطبش‌پذیری (α) و اولین فراقطبش‌پذیری (β0) که به ترتیب به خواص نوری خطی و غیرخطی (NLO) مربوط می شوند، محاسبه شد. مقدار اولین فراقطبش‌پذیری در نتیجه جذب 6 اتم بریلیوم روی سطح C20دیده افرایش قابل توجهی بزرگتر از (1000000<β0) را نشان می‏دهد. نتایج این مطالعه ممکن است برای طراحی و ساخت نانو مواد با خواص الکتریکی قابل تنظیم، مورد استفاده قرار گیرد.