رشد نانوپوسه های MoS2 ایستاده بر سطح به روش رسوب‌دهی بخار شیمیایی

Abstract

خواص الکترونیکی جالب و ویژگی‌های کاتالیستی چندلایه‌های دوبعدی MoS2امروزه توجه محققان را به خود جلب کرده است. در این مقاله سنتز نانوپوسه‌های MoS2 ایستاده روی زیرلایه SiO2/Si در فرآیند سولفید شدن سریع به روش رسوب بخار شیمیایی، گزارش شده است. مشخصه‌یابی مواد با استفاده از طیف‌سنجی رامان، XRD و FE-SEM انجام گردید. نتایج XRD نشان دهنده فاز غالب 2H-MoS2 و فاصله دو پیک برجسته‌ی E12g و A1g در پراکندگی رامان، ضخامت 6 تا 10 لایه اتمی برای پوسه‌ها را تصدیق می‌کند. با توجه به داده‌های تجربی، مکانیزم رشد را بر اساس دانه‌بندی و رشد دوبعدی و در مرحله بعدی بهم پیوستن جزایر دوبعدی و در مرحله نهایی رشد پوسه‌ای ایستاده بهم متصل معرفی کرده‌ایم. این ساختارهای ایستاده که سایت‌های فعال زیادی در لبه‌ها دارند کاربردهای بالقوه و امیدوار کننده‌ی بسیاری در ترانزیستورهای ظریف، حسگرهای گاز و واکنش‌های کاتالیستی خواهند داشت.