ویژگی های الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی نانو لایه GaAs خالص و آلائیده شده با ناخالصی های Mn و Fe واقع بر سطح [001]

Abstract

انبوهه و نانو لایه‌ی GaAs به دلیل کاربردهای وسیع مورد توجه بسیاری از پژوهشگران قرار گرفته اند. به دلیل اهمیت نانو لایه GaAs ، در این مقاله با استفاده از دو ناخالصی Mn و Fe احتمال ایجاد گذار فاز رسانا به نیم‌رسانا و برعکس هچنین چگونگی جابجایی ستیغ های ضرایب اپتیکی این نانو لایه‌‌ها مورد بررسی قرار می گیرد. به این منظور ویژگی‌های ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانو لایه ی GaAs خالص و آلائیده شده با ناخالصی‌های (GaAs+Fe) Mn و Fe (GaAs+Fe) با استفاده از نظریه تابعی چگالی مورد مطالعه قرار می‌گیرند. چگالی حالت‌های الکترونی، ضریب خطی گرمای ویژه ، ساختار نوراری و گشتاور مغناطیسی کل و موضعی حاصل از ناخالصی‌ها محاسبه و مقایسه می شوند. بخش حقیقی و موهومی تابع دی الکتریک، تابع دی الکتریک استاتیکی، ناهمسانگردی تک محوری، ضرایب بازتابش، ضرایب جذب ، تابع اتلاف انرژی و رسانندگی اپتیکی نانولایه های GaAs خالص ، GaAs+Feو GaAs+Fe برای میدان الکتریکی موازی و عمود بر سطح نانو لایه‌ها با استفاده از تقریب‌های چگالی شیب تعمیم یافته و انگل-وسکو بررسی و مقایسه می شوند.