بررسی گسیل میدانی نانو لوله های طبقه ای CNT-TiO2 تحت تابش نور

Abstract

امروزه چشمه های الکترونی بر پایه ی گسیل میدانی ، نقش قابل توجهی در بخش های مختلف زندگی ما ایفا می کنند. از جمله مهمترین کاربرد های گسیل میدانی می توان به میکروسکوپ های الکترونی، نمایشگر های گسیل میدانی و سلول های خورشیدی اشاره کرد. نانولوله ها به عنوان گسیلنده ی الکترونی، در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. در این میان، نانولوله های کربنی به علت دارا بودن بدنه ی رسانا، به عنوان یکی از بهترین گسیلنده های میدانی شناخته می شوند. همچنین نانولوله های دی اکسید تیتانیوم به دلیل خاصیت اکسیدی و نیز قابلیت رشد بر روی زیر لایه ی رسانا، از جمله گسیلنده های خوب میدانی هستند. هدف این پژوهش، یافتن ساختاری با گسیل میدانی بالا، به کمک بررسی گسیل میدانی حاصل از ساختار های نانولوله دی اکسید تیتانیوم، نانوساختار های متشکل از نانولوله های دی اکسید تیتانیوم و نانو لوله های کربنی و نهایتاً این نانو ساختار های دو طبقه تحت تابش نور می باشد. در این پژوهش، مشاهده شد که ساختارهای دو طبقه ای گسیل الکترونی به مراتب بیشتری نسبت به ساختارهای معمولی داشتند و همچنین شاهد افزایش چشمگیر گسیل میدانی برای نانو ساختار دو طبقه ای تحت تابش نور بودیم.