بررسی رفتار نیمهفلزی و هم ترازی نوارهای مرزمشترک Mn2FeAl/GaAs(001)  بر پایه نظریه تابعی چگالی 
(ندگان)پدیدآور
بوچانی, آرشامیری, ملیحهنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی کامل
زبان مدرک
فارسیچکیده
ویژگی های الکترونی ، انحراف نواری و مغناطیسی مرزمشترک GaAs/Mn2FeAl توسط محاسبات اصول اولیه با استفاده از نظریه تابعی چگالی و تقریب گرادیان تعمیمیافته (GGA) مورد بررسی قرارگرفت.محاسبات نشان دادند که مرزمشترکMn - Mn/Ga از نظر انرژی پایدارتر از دیگر مرزمشترک های قابل بررسی بود.مطالعه همزمان سدشاتکی و پتانسیل الکتروستاتیکی برای این ساختار نشاندهنده همترازی نواری نوعIII (شکسته)میباشد، جاییکه لبه نوار ظرفیت Mn2FeAl بالاتر از لبه نواررسانش گالیوم آرسناید میباشد.ما یک انحراف نوار ظرفیت54 .1الکترونولت و یک انحراف نوار رسانش 39 .1الکترونولت را یافتیم.از اینرو Mn2FeAl/GaAs(001) برای کاربردهای GMR و TMR پیشنهاد میشود. در این مرزمشترک شاهد بروز یک اختلاف پتانسیل الکترواستاتیکی به میزان 0.056میکروولت و نیز بروز رفتار نیمهفلزی هستیم
کلید واژگان
مرز مشترک Mn2FeAl/GaAs(001)نظریه تابعی چگالی
پتانسیل الکتروستاتیکی
هم ترازی نواری
شماره نشریه
1تاریخ نشر
2019-04-211398-02-01
ناشر
دانشگاه شهید چمران اهوازRegional Information Center for Science and Technology (RICeST)
سازمان پدید آورنده
گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه، ایرانگروه فیزیک-دانشکده علوم- دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه-کرمانشاه-ایران
شاپا
2322-231X2588-4980




