بررسی خواص نوری گذار مقید به پیوسته درون نواری نقطه‌ی کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس: تحت اعمال میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی

Abstract

ددر این مقاله، اثر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی بر خواص نوری نفاط کوانتمی مخروطی شکل InAs/GaAs همراه با لایه خیس بررسی شده‌است. ابتدا با استفاده از روش محاسباتی اجزای محدود و بهره‌گیری از تقریب جرم مؤثر، معادله شرودینگر برای نقطه کوانتمی مخروطی- شکل همراه با لایه خیس حل شد و توابع پوش، ترازهای انرژی حالت پایه و تراز لایه خیس به دست آمدند. سپس با استفاده از توابع پوش الکترون، دوقطبی‌های گذار محاسبه شدند و وابستگی آن‌ها به میدان های الکتریکی ومغناطیسی مشخص شدند و در نهایت به بررسی خواص نوری پرداخته‌شد. با اعمال میدان‌الکتریکی و مغناطیسی در راستای رشد نقطه‌ کوانتومی محدودیت کوانتومی الکترون را می توان کنترل کرد. به علت وابستگی دوقطبی‌های گذار به حضور میدان، مقایسه نتایج نشان می‌دهد که با افزایش میدان مغناطیسی قله‌های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی بلندتر و به سمت طول‌موج‌های کوتاه‌تر می‌رود. در حالیکه با افزایش میدان الکتریکی تغییرات جزیی در جابه‌جایی قله‌های ضریب جذب و شکست خطی وغیر خطی، به سمت طول‌موج‌های بلند‌تر قابل مشاهده است.