تاثیر میدان مغناطیسی تولید شده در برهمکنش پالس لیزری پرشدت با پلاسمای کم چگال بر شتاب بسته الکترونی در رژیم حبابی

Abstract

دراین مقاله تاثیر میدان مغناطیسی حاصل از برهمکنش لیزر پرشدت فمتوثانیه ای با پلاسمای کم چگال در رژیم حبابی روی شتاب بسته الکترونی با توزیع یکنواخت گاوسی در سرعت و مکان مورد بررسی قرار گرفته است. دیده شد که میدان مغناطیسی می تواند انرژی نهایی بسته الکترونی را از حدود 1GeVبه حدود 1.2GeVافزایش دهد و پهن شدگی انرژی نهایی را کاهش دهد. همچنین واگرایی نهایی بسته الکترونی نیز در حدود یک مرتبه بزرگی کاهش یافته و برابر با 3-^10*0.38 میلی متر میلی رادیان شده است. علاوه براین، ما مشاهده کردیم میدان مغناطیسی باعث افزایش ده درصدی تعداد الکترونهای شتاب گرفته می شود.