ترابرد در دیودهای تونلزنی تشدیدی نقطه کوانتومی
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
865.2کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textویژه نامه
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونلزنی تشدیدی را شبیهسازی نمودهایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها میتوان در محاسبه جریان تاریک سلولهای خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مؤلفههای تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالتها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج نشان میدهند به دلیل وجود یک میدان الکتریکی طولی، چگالی محلی حالتها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر میکند. مشخصه جریان- ولتاژ دستگاه نیز نشاندهنده وجود رفتار غیر اهمی در دستگاه دیود تونل زنی تشدیدی است. همچنین با وارد نمودن نقاط کوانتومی، مقاومت دیفرانسیلی منفی قابل مشاهده است. این مقاومت ناشی از پدیده تونلزنی تشدیدی است.
کلید واژگان
دیود تونلزنی تشدیدیتابع گرین
نقطه کوانتومی
ترابرد
شماره نشریه
2تاریخ نشر
2016-11-211395-09-01
ناشر
دانشگاه شهید چمران اهوازRegional Information Center for Science and Technology (RICeST)
سازمان پدید آورنده
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی اصفهاندانشگاه صنعتی اصفهان
شاپا
2322-231X2588-4980
