رسانش الکترونی یک مولکول خطی سه اتمی در دمای غیر صفر
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
901.3کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textویژه نامه
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله رسانش الکترونی مولکول خطی سه اتمی که بین دو هادی نیمه نامتناهی ساده قرار دارد، با استفاده از روش استاندارد تابع گرین در رهیافت تنگ بست، به دست می آید. با در نظر گرفتن اثر برهمکنش الکترون ـ فونون و تغییرات دما در رژیم بی دررو، رسانش الکترونی سامانه ی مرکزی بررسی می شود. نتایج نشان می دهد که با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون میزان پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با اتم های مرتعش افزایش یافته و ضریب عبور برای همه انرژی ها به جز در لبه های نوار انرژی کاهش می یابد. همچنین با کاهش دما ارتعاشات اتمی کمتر و پراکندگی الکترونی در اثر برخورد با این اتم ها نیز کمتر می شود و بنابراین رسانش الکترونی افزایش می یابد.
کلید واژگان
تابع گرینتنگ بست
دمای غیر صفر
مولکول سه اتمی
شماره نشریه
1تاریخ نشر
2016-11-211395-09-01
ناشر
دانشگاه شهید چمران اهوازRegional Information Center for Science and Technology (RICeST)
سازمان پدید آورنده
دانشگاه شهرکرددانشگاه شهرکرد
دانشگاه شهرکرد
شاپا
2322-231X2588-4980
