بررسی انتشار امواج تراهرتز در MoS2 در مرز بین دو دی الکتریک

Abstract

امروزه خواص اپتیکی منحصر به فرد تک لایه MoS2 به عنوان نیمه‌هادی دو-بعدی مورد توجه قرار گرفته است. در این مقاله از ضرایب فرنل برای تعیین خواص اپتیکی مانند جذب، بازتاب و عبور لایه MoS2 در بازه‌ی تراهرتز استفاده شده است. ساختار کلی شامل دو محیط نیمه‌بی‌نهایت SiO2 و هوا است که تک لایه MoS2 در بین آنها قرار دارد. ما دریافتیم که بیشینه جذب برابر با مقدار اندک 6-10×5/2 است که در بازتاب داخلی، برای قطبش TE و در زاویه حد رخ <br />می‌دهد. این میزان جذب کم، نشان‌دهنده‌ی کاربردی بودن چنین لایه‌ای در ساخت ابزار نوری به‌ویژه الکترود شفاف و دیگر قطعات الکترونیکی است.