ساخت و مشخصه¬یابی نانوسیم‌های اکسید روی ساخته ‌شده به¬روش الکتروانباشت و اکسایش حرارتی و کاربرد آن‌ها به¬عنوان گسیل¬دهنده‌ میدانی

Abstract

لایه‌ای از نانوسیم­های اکسید روی بر روی زیر­لایة فلز روی از محلولی که حاوی ₂ ZnClو ₂O₂Hبوده به­روش احیاء کاتدی و از طریق حرارت دادن در اتمسفر در دمای ºC 400 و به­مدت 4 ساعت ایجاد شد. پراش پرتو ایکس مجموعه­ای از قله­های معین، (مطابق با ساختار ورتزایت اکسید روی) نشان می­دهد. تصاویر میکروسکوپ­های الکترونی روبشی و عبوری مشخص می‌کند که نانو­سیم‌های اکسید روی با جهت­گیری اتفاقی با طول چندین میکرون و قطر nm 40-30 تشکیل ‌شده‌اند. مطالعه گسیل میدانی الکترون از طریق ساختار دیودی در فشار mbar ^8-10×1 صورت پذیرفت. مقدار میدان روشن شدن برای چگالی گسیل جریان الکترون ² µA/cm1_/0 تعریف گردید که به مقدار V/µm2_/1 به­دست آمد. نمودار فولر- نوردهیم (F-N) رفتار غیرخطی را در کل محدوده میدان اعمال ‌شده مطابق با رفتار ذاتی گسیل­کننده­های نیم­رسانا نشان داده است. ساده بودن روش ساخت، همراه با خاصیت مناسب گسیل­کننده نانو­سیم‌های اکسید روی به­طریق الکتروانباشت و اکسایش حرارتی می­تواند نماینده­ای از یک گسیل­کننده خوب برای کاربری در جریان­هایی با چگالی بالا داشته باشد.