بررسی خواص گسیل میدانی آرایه‌ی نانو‌سیم‌های اکسید روی آلاییده شده با طلا

Abstract

آرایه‌ای از نانوسیم‌های اکسید روی از طریق لایه‌نشانی فلز طلا<br />در محیط خلأ بر روی زیرلایه‌ی فلز روی به همراه اکسایش حرارتی در هوا در دمای ^oC 400 و به مدت 4 ساعت ساخته شد. الگوی<br />پراش پرتو ایکس مجموعه‌ای از قله‌های معینی مطابق با ساختار ورتسایت اکسید روی<br />نشان داد. تصویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص نمود که نانوسیم‌های اکسیدروی با<br />طول چندین میکرون تشکیل شده‌اند. مطالعات طیف‌سنجی فوتوالکترون اشعه‌‌ی ایکس نشان داد که<br />اتم‌های Au و Zn در حالت اکسید هستند. مطالعه‌ی گسیل میدانی الکترون به وسیله‌ی<br />ساختار دیودی در فشار mbar^8-10´1 صورت پذیرفت. مقدار میدان عطف،<br />مطابق تعریف برای چگالی گسیل جریان الکترون ²µA/cm 1/0، V/µm4/2 به‌دست<br />آمد. نمودار فولر- نوردهیم (F-N) رفتار خطی را در کل محدوده‌ی میدان اعمال شده مطابق با رفتار<br />ذاتی گسیل‌کننده‌های نیم‌رسانا نشان داده است