ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو

Abstract

گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه ­یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشه­ی پایینی می تواند با موجبر در تراشه­ بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشه­ها انجام می گیردکه در این حالت آینه­های بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازه­های ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفت­اند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشه­های سیلیکونی به صورت یک بسته درآمده­اند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشه­ها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کره­ی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشه­ها می تواند باعث تنظیم خود به خود بسته­ها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشه­ها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشه­ای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل 3 ترا شه­ی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشه­ای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوسته­ی نوری ،دیاگرام­های چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده­ استبرای داشتن تلفاتِ 4dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن1dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریباً با حالتی که کانال­های OP×C با کانال های10 Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند..