افزایش چسبندگی سطحی لایه‌نازک اکسید‌گرافن روی بستر سیلیکون آبگریز

Abstract

در این تحقیق، لایه­های اکسید­­گرافن[1] باردار توسط روش رایج اصلاح ­شده هامر[2]، سنتز گردید. لایه­نازک اکسید­گرافن به روش لایه­نشانی الکتروفورتیک[3] توسط سوسپانسیون کلوئیدی آبی اکسید­گرافن روی زیرلایه سیلیکون[4] لایه­نشانی شد. جهت بهبود میزان چسبندگی لایه­های اکسید­گرافن روی سطح آبگریز سیلیکون، عملیات اصلاح سطح زیرلایه­ توسط ذرات نقره انجام گرفت. فرایند احیا اکسیدگرافن لایه­نشانی شده در دمای ºC400 تحت جریان آرگونانجام شد. الگوی پراش اشعه­ی ایکس عامل­دار شدن لایه­های گرافیت با گروه­های عاملی اکسیژنی و افزایش موفقیت­آمیز فاصله­ بین صفحه­ای توسط متد هامر اصلاح شده را تایید می­کند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی از نمونه­­ لایه­نشانی شده روی بستر سیلکون اصلاح نشده، لایه­نشانی غیر یکنواخت و جزئی اکسیدگرافن را نشان می­دهد. بهبود میزان چسبندگی و لایه­نشانی یکنواخت لایه­نازک اکسیدگرافن پس از اصلاح سطح سیلیکون توسط ذرات نقره حاصل شد. طیف­سنجی رامان حاصل از این نمونه­ شکل­گیری لایه­­نازک اکسیدگرافن احیا شده را تایید می­کند.<br />