• ورود به سامانه
      مشاهده مورد 
      •   صفحهٔ اصلی
      • نشریات فارسی
      • مواد و فناوری های پیشرفته
      • دوره 1, شماره 2
      • مشاهده مورد
      •   صفحهٔ اصلی
      • نشریات فارسی
      • مواد و فناوری های پیشرفته
      • دوره 1, شماره 2
      • مشاهده مورد
      JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

      سنتز فوتوکاتالیست تنگستات نیکل نانو ساختار از روش پلیول

      (ندگان)پدیدآور
      Kazemzadeh, A.Goudarzi, FarnooshEskandari, Arvin
      Thumbnail
      نوع مدرک
      Text
      زبان مدرک
      فارسی
      نمایش کامل رکورد
      چکیده
      در این تحقیق نانو بلور های NiWO4 در محیط پلیمری و در دمای پایین برای اولین بار سنتز شدند. واکنش تشکیل بین نیکل کلرید و تنگستات سدیم در دمای 180 درجه سانتیگراد و به مدت 10 ساعت در اتیلن گلیکول انجام شد. ذرات بلورینه شده تنگستات نیکل پس از عملیات حرارتی در 500 درجه سانتیگراد به مدت 5 ساعت حاصل گردیدند. آنالیز حرارتی (TG/DTA) برای بررسی رفتار این ماده تحت حرارت انجام شد. نتایج آنالیز پراش اشعه ایکس (XRD) نیز نشان داد که بهترین دمای کلسیناسیون 500 درجه سانتیگراد بوده و با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری (TEM) و روبشی (SEM) تصاویر نانو ذرات تنگستات نیکل تهیه شدند. از روش ریتولد، اندازه متوسط بلور�های NiWO4 17 نانو متر محاسبه گردید و متوسط اندازه ذرات 50 نانو متر نیز از تصاویر TEM تخمین زده شد. بیشترین سطح ویژه برای نمونه عملیات حرارتی شده در 100 درجه سانتیگراد با استفاده از BET، 105 متر مربع بر گرم بدست آمد. مطالعه جذب طیف نوری در محدوده طول موج 350 تا500 نانو متر نشان داد که گاف انرژی این ماده 41/3 الکترون ولت و 25/3 الکترون ولت به ترتیب برای قبل و بعد از کلسینه شدن است. جهت بررسی خواص فوتو کاتالیستی از متیلن بلو استفاده گردید و محلول در معرض تابش نور UV با توان 12 وات به مدت 1، 2، 3 و 4 ساعت قرار گرفت. خاصیت رنگ زدایی و فوتوکاتالیستی این ماده مطلوب بود.
      کلید واژگان
      نانو بلور
      گاف انرژی
      فوتوکاتالیست

      شماره نشریه
      2
      تاریخ نشر
      2010-05-22
      1389-03-01
      ناشر
      پژوهشگاه مواد و انرژی
      Materials and Research Center (MERC)
      سازمان پدید آورنده
      Semicounductors, Materials and Energy Research Center
      Materials Eng., Materials and Energy Research Center
      Materials Eng., Materials and Energy Research Center

      شاپا
      2008-4269
      2008-4277
      URI
      https://dx.doi.org/10.30501/jamt.2010.70139
      http://www.jamt.ir/article_70139.html
      https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/68322

      مرور

      همه جای سامانهپایگاه‌ها و مجموعه‌ها بر اساس تاریخ انتشارپدیدآورانعناوینموضوع‌‌هااین مجموعه بر اساس تاریخ انتشارپدیدآورانعناوینموضوع‌‌ها

      حساب من

      ورود به سامانهثبت نام

      تازه ترین ها

      تازه ترین مدارک
      © کليه حقوق اين سامانه برای سازمان اسناد و کتابخانه ملی ایران محفوظ است
      تماس با ما | ارسال بازخورد
      قدرت یافته توسطسیناوب