مطالعه‌ی محاسباتی جذب مولکول‌های HCN، CO و ClCN در نانو لوله‌‌ی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT

Abstract

در این تحقیق با بهره‌گیری از نظریه تابع چگالی (DFT)، روش B3LYP و سری پایه G* 6-31 اثر جذب مولکول‌های CO, ClCN, HCN را روی نانولوله‌های تک دیواره آرمچیر (4 و 4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به روند تغییرات در فاصله بین اوربیتال­های HOMO و LUMO مدل‌های مورد مطالعه می‌توان نتیجه گرفت که بیش­ترین رسانایی الکتریکی در مدل B dope C ClCN-Attached و کم­ترین رسانایی در مدل خالص دیده می‌شود. نتایج جدول جذب سطحی نشان می‌دهد که بیش­­ترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si ClCN-Attached و کم­ترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si HCN-Attached دیده می‌شود. با توجه به نتایج این پژوهش می‌توان نتیجه گرفت که مطلوب‌ترین گزینه مورد مطالعه مولکول ClCN می‌باشد.