تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن

Abstract

<span lang="AR-SA" dir="RTL">امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهای</span><span lang="AR-SA" dir="RTL">اپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک </span><span>Ta₂O₅</span><span lang="AR-SA" dir="RTL"> و </span><span>SiO₂</span><span dir="RTL"> <span lang="AR-SA">و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غالب در ساختار مورد مطالعه است. نتایج مطالعات نظری حاکی از آن است که میزان جذب ساختار با تغییر دورۀ تناوب، قطبش، زاویۀ فرود و شدت نور فرودی تنظیم‌پذیر است. محاسبات نشان می‌دهد که در طول موج 818 نانومتر می‌توان به دو مقدار جذب 99/0 و صفر به ترتیب در شدت‌های کمتر از </span></span><span dir="RTL"> <span lang="AR-SA">و در شدت‌های بالاتر از </span></span><span lang="AR-SA" dir="RTL">دست یافت. بررسی نظری ساختار در ناحیۀ طول موج مرئی با روش ماتریس انتقال، </span><span>TMM</span><span lang="AR-SA" dir="RTL">، انجام شده است.</span>