خواص مغناطیسی عایقهای توپولوژیکی مغناطیسی سه بعدی:اثرات انحنای شش گوشی
(ندگان)پدیدآور
ابویی, جهانفرمقرر جهرمی, مریمعابدین پور, سعیدنوع مدرک
Textزبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله خواص مغناطیسی عایقهای توپولوژیکی سه بعدی آلاییده با اتمهای مغناطیسی بررسی شده است. قفل شدگی اسپین- مدار الکترونهای سطحی سبب بروز رفتارهای مغناطیسی جالبی میشود که در سیستمهای متعارف بدون برهمکنش اسپین- مدار قابل مشاهده نیست. از جمله این خصوصیات میتوان به وابستگی شدید دمای گذار فرومغناطیس- پارامغناطیس سیستم به پارامترهای مختلف آن اشاره کرد. در این مقاله اثرات انحنای شش گوشی را با استفاده از رهیافت میدان متوسط، روی پارامتر نظم، دمای بحرانی، و پذیرفتاری مغناطیسی سیستم مطالعه کردهایم
کلید واژگان
عایقهای توپولوژیکی مغناطیسیانحنای شش گوشی
شماره نشریه
5تاریخ نشر
2018-01-211396-11-01
ناشر
انجمن فیزیک ایرانسازمان پدید آورنده
دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجاندانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان
دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان
شاپا
1682-69572345-3664




