بررسی تغییرات پارامترهای ساختاری نانوسیمهای مغناطیسی نیکل بر بازده الکترونهشت
چکیده
در این پژوهش، نانوسیمهای مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس acدرون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دومرحلهای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیرتعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازکسازی شد. نمونه با شرایط الکتروانباشت عبارتاند از، جریان ثابت 15 میلیآمپر، زمان خاموشی 48 میلیثانیه با دماهای بستر 10 و 20 درجه سانتیگراد و دمای الکترولیت 30 درجه سانتیگراد تهیه گردید. و تاثیر ولتاژ نازکسازی لایه سدی و دمای بستر روی بازده الکتروانباشت مورد بررسی قرارگرفت و از آنالیزهایVSM و SEM استفاده شده است. در این پژوهش متوجه شدیم که در دمای بستر 10 درجه سانتیگراد با افزایش ضخامت لایه سدی، بازده نهشت کاهش مییابد و در دمای 20 درجه نتیجه عکس خواهد بود.
کلید واژگان
آرایه نانوسیمهای نیکلبازده الکتروانباشت
دمای لایه سدی
ضخامت لایه سدی
شماره نشریه
3تاریخ نشر
2018-11-221397-09-01
ناشر
انجمن فیزیک ایرانسازمان پدید آورنده
باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی شیراز، شیرازدانشکده فیزیک، دانشگاه کاشان، کاشان
شاپا
1682-69572345-3664
