ترابرد در دیودهای تونلزنی تشدیدی نقطه کوانتومی در رژیم غیربرهمکنشی
چکیده
در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونلزنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نمودهایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمتهای مختلف دستگاه فوتوولتایی p-i-n به تفصیل، تابع گرین تکذرهای الکترونها و حفرهها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالتها و چگالی جریان را به دست آوردهایم. نتایج نشاندهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان میدهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این میشود که چگالی محلی حالتها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث میشود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده تونلزنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها میتوان در محاسبه جریان تاریک سلولهای خورشیدی استفاده نمود.
کلید واژگان
دیود تونلزنی تشدیدیتابع گرین
نقطه کوانتومی
ترابرد
چگالی موضعی حالتها
شماره نشریه
3تاریخ نشر
2017-08-231396-06-01
ناشر
انجمن فیزیک ایرانسازمان پدید آورنده
دانشگاه صنعتی اصفهاندانشگاه صنعتی اصفهان
شاپا
1682-69572345-3664
