• ورود به سامانه
      مشاهده مورد 
      •   صفحهٔ اصلی
      • نشریات فارسی
      • مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
      • دوره 7, شماره 3
      • مشاهده مورد
      •   صفحهٔ اصلی
      • نشریات فارسی
      • مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
      • دوره 7, شماره 3
      • مشاهده مورد
      JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

      اندازه‌گیری پویش آزاد میانگین الکترون در لایه‌های نازک Ni و چند لایه‌ایهای نازک Ni/Cu از طریق مطالعه بستگی مقاومت الکتریکی به ضخامت لایه‌ها

      (ندگان)پدیدآور
      غلامرضا نبیونی
      Thumbnail
      دریافت مدرک مشاهده
      FullText
      اندازه فایل: 
      1.382 مگابایت
      نوع فايل (MIME): 
      PDF
      نوع مدرک
      Text
      زبان مدرک
      فارسی
      نمایش کامل رکورد
      چکیده
      در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک Ni و چند لایه ایهای نازک Ni/Cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای Ni و Cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (XRD) تعدادی از لایه های نازک Ni/Cu بیانگر ساختار چندلایه ای و پیروی آنها از ساختار ترجیحی زیر لایه خود است. از مطالعات اندازه گیری مقاومت الکتریکی ویژه, پویش آزاد میانگین برای لایه های نازک Ni و Ni/Cu محاسبه گردید.
      کلید واژگان
      پویش آزاد میانگین
      چند لایه‌ایهای نازک
      مقاومت ویژه

      شماره نشریه
      3
      تاریخ نشر
      2007-08-23
      1386-06-01
      ناشر
      انجمن فیزیک ایران

      شاپا
      1682-6957
      2345-3664
      URI
      http://ijpr.iut.ac.ir/article_580.html
      https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/314166

      مرور

      همه جای سامانهپایگاه‌ها و مجموعه‌ها بر اساس تاریخ انتشارپدیدآورانعناوینموضوع‌‌هااین مجموعه بر اساس تاریخ انتشارپدیدآورانعناوینموضوع‌‌ها

      حساب من

      ورود به سامانهثبت نام

      تازه ترین ها

      تازه ترین مدارک
      © کليه حقوق اين سامانه برای سازمان اسناد و کتابخانه ملی ایران محفوظ است
      تماس با ما | ارسال بازخورد
      قدرت یافته توسطسیناوب