بررسی ورقه‌های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه‌های سیلیکونی (100)

Abstract

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می‌رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به‌کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم‌های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم‌های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می‌دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک‌های نیتریدی مناسب تر است.