دوره 13, شماره 2

 

ارسال های اخیر

  • اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس 

    مردانی, محمد؛ ربانی, حسن؛ بهارلو, زهرا (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. ...

  • تأثیر گاف نوار فوتونی بر انتشار پالس بازتابی از بره آلاییده شده توسط اتم‌های دو ترازی و سه ترازی 

    روشن انتظار, صمد؛ نیکخو, مریم (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    در این مقاله تاثیر گاف ‎نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتم‌های دو ترازی یا سه‎ترازی مطالعه می‎شود. فرض می‌شود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی ...

  • بررسی اثر دمای بازپخت در نانوساختار 2SnO-2TiO ساخته شده به روش باریکه الکترونی بر روی زیر لایه‌های شیشه و آلومینیوم/ شیشه 

    بیگ محمدی, نرگس؛ ملکی, محمدهادی (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    لایه های نانوساختار 2 SnO -2 TiO به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در ...

  • اثر ناخالصی اتمی بر خواص الکترونی ابرشبکه‌هایی از نانولوله کربنی 

    شکری, علی اصغر؛ کریمی, زهرا (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    در این مقاله، به بررسی ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی ابرشبکه های نانولوله کربنی تک دیواره n(12,0)/m(6,6) و n(12,0)/m(11,0) می پردازیم که از اتصال نانولوله‌های زیگزاگ و دسته صندلی (آرمچیر) ایجاد می شوند. در ناحیه فصل ...

  • شبیه‌سازی رآکتورهای هسته‌ای نوع بستر توپکی با کد MCNP: رآکتور 10HTR- چین 

    حسینی, سیدعلی؛ اطهری علاف, میترا (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    از آنجا که رآکتورهای نسل چهارم از نوع گاز- گرافیت اخیرا بار دیگر مورد توجه قرار گرفته‌اند، آژانس انرژی اتمی کوشید تا با طرح مسئله‌های استاندارد به راه حل‌هایی جهت شبیه ‌سازی این نوع رآکتورها دست یابد. در این مقاله مدلی جهت ...

  • گذار نیمه‌لپتونی B در فضا - زمان ناجابه‌جایی 

    غلامی, محسن؛ حقیقت, منصور؛ خسروی, غلامرضا (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    در این مقاله اثر ناجابه ‌ جایی بر گذار نیمه­لپتونی B Ò Dlv بررسی می شود. معادل رأس برهم‌کنش ضعیف با بوزون های w در فضای ناجابه‌جایی را جایگزین رأس ضعیف این گذار می کنیم. خواهیم دید، که عامل های ساختار بیشتری برای توصیف ...

  • آستانه پخش شایعه در شبکه‌های همگن اجتماعی 

    روشنی, فریناز؛ نعیمی, یعقوب (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    در سال‌های اخیر مطالعه مدل‌های پخش همگانی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مدل‌های مورد علاقه و جذاب، مدل پخش شایعه در جامعه می‌باشد. در این مقاله با مرور مختصر مدل استاندارد پخش شایعه، مدل تعمیم یافته پخش شایعه در ...

  • بررسی تغییر رفتار گاف انرژی اپتیکی نانوذرات تیتانیا با افزودن زمینه سیلیکا 

    نصیریان, شهروز؛ میلانی مقدم, حسین (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها ...

  • محاسبه تابع ترکش مزون B با در نظر گرفتن اثر جرم مزون 

    موسوی نژاد, سیدمحمد؛ آرمات, آیدا (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    امروزه مزون‌ها و باریون‌های سنگین به وفور در برخورد دهنده بزرگ هادرونی LHC) ) تولید و واپاشیده می شوند. این فرآیندهای واپاشی منابع خوبی برای مطالعه نظریه QCD ، به خصوص بررسی ساختار هادرون‌ها هستند. بنابراین پدیده شناسی ...

  • اثر ناهنجاری‎های کوهن بر ترابرد فونونی یک زنجیره جرم- فنر 

    ربانی, حسن؛ مردانی, محمد؛ مردانی, محمد؛ سلیمانی فرد, فاطمه (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    در این مقاله به کمک روش تابع گرین و تقریب هماهنگ، ضریب عبور فونونی یک زنجیره جرم - فنر متناهی را در حضور برهم‌کنش کوهن بررسی می کنیم. این سامانه به دو هادی ساده فونونی که در آنها هر جرم فقط با همسایه های اول خود برهم‌کنش ...

  • نگاشت همدیس در طرح‌های انگشتی سافمن- تیلور 

    گودرزی, معصومه؛ ملکی جیرسرایی, ناهید (انجمن فیزیک ایران, 2013-08-23)
    انگشت‌های وشکسان حاصل از ناپایداری سافمن - تیلور را که یک رشد لاپلاسی است با استفاده از نگاشت همدیس بررسی کردیم. انگشت‌های وشکسان از بروز ناپایداری سافمن - تیلور در مرز مشترک بین دو سیال در سلول هل - شاو مستطیلی، هنگامی ...