شبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
596.7کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله، به ارائه یک ضرب‌کننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی می‌پردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحی‌شده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار می‌کنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضرب‌کننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی می‌شود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضرب‌کننده ارائه‌شده در شبیه‌ساز HSPICE شبیه‌سازی شده است. نتایج حاصل از شبیه‌سازی نشان می دهد که مدار قابلیت عملکرد مطلوب را تا فرکانس 2 گیگا هرتز ، مصرف توان ماکزیمم 3.7464µw و همچنین دارای THD 0.226043% می باشد.
کلید واژگان
ترانزیستور نانو لوله کربنیضرب کننده آنالوگ چهار ربعی
مد جریان
مدار مجذور کننده جریان
شماره نشریه
24تاریخ نشر
2017-06-221396-04-01
ناشر
دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهرسازمان پدید آورنده
دانشجوی ارشد دانشگاه آزاد واحد بوشهرعضو هیات علمی دانشگاه آزاد واحد بوشهر
هیت علمی دانشگاه ازاد واحد بوشهر
