رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
530.8کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textمقاله پژوهشی
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه میگردد. این مدل بر پایه شبیهسازیهای سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی میشود. در این مقاله فاکتورهای مشخصکننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیهسازی سه بعدی نرمافزار ISE-TCAD نشان داده میشود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطهای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان میگردد. در نهایت نتایج شبیهسازی سه بعدی نرمافزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج به دست آمده مورد مقایسه قرار میگیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان میدهد.
کلید واژگان
PSP SOIPD SOI
مقاومت بدنه
پتانسیل بدنه
نانومتر
شماره نشریه
4تاریخ نشر
2011-02-201389-12-01
ناشر
دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آبادسازمان پدید آورنده
استادیار /دانشگاه شهرکردکارشناسی ارشد /مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تیران و کرون
شاپا
2322-38712345-5594
