پیش‌یابی و بررسی خواص الکتریکی نانو‌ساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (4SiGeP) با استفاده از روش ابتدا به ساکن

Abstract

این مقاله نانوساختار دوبعدی سیلیسیم ژرمانیم فسفید (₄SiGeP) را در فاز پنج­ گوشی با استفاده از محاسبه ­های ابتدا به ساکن مبتنی بر نظریه­ ی تابعی چگالی و با بهره­ گیری از نرم ­افزارهای وین و کوانتوم اسپرسو و متریالز استودیو پیش­ یابی نموده و خواص الکتریکی آن را مورد بررسی قرار می ­دهد. پایداری ترمودینامیکی، دینامیکی و گرمایی این نانو­ساختار به ترتیب با محاسبه­ ی انرژی همبستگی ساختار، نمودار پاشندگی فونونی و شبیه ­سازی دینامیک مولکولی ارزیابی و تأیید شده است. نتیجه­ های محاسبه­ ها نشان می­دهد که تک لایه ­ی سیلیسیم ژرمانیم فسفید یک نیم ­رسانای غیر­مستقیم با گاف انرژی حدود eV 95_/1 است که با اعمال کشش و کرنش دوبعدی قابل تنظیم است. ویژگی­ های منحصربه ­فرد این نانو­ساختار امکان استفاده از آن را در ابزارهای الکترونیکی در مقیاس نانو و به طور خاص در حسگرهای الکترو­مکانیکی فراهم می­ کند.