مطالعه‌ی شکست‌های ایجاد شده به وسیله‌ی اثرهای مستقیم الکترون‌های تک‌انرژی در صورت‌بندی B مولکول DNA با استفاده از کد Geant4

Abstract

شکست‌های تک‌رشته‌ای و دورشته‌ای ایجاد شده به وسیله‌ی اثرهای مستقیم الکترون‌های‌ تک‌انرژی در گستره‌ی انرژی 1 تا 20 کیلوالکترون ولت، نسبت آن دو و آمار برخورد در قسمت‌های مختلف صورت‌بندی B مولکول DNA با استفاده از کد مونت‌کارلوی Geant4، مورد مطالعه قرار گرفته و با نتایج یکی از شاخص‌ترین مطالعه‌ی توسعه‌دهنده‌ی مدل ساختاری ماده‌ی وراثتی، مقایسه شد. قطعه‌های DNA با طول 34 جفت باز و به تعداد 160000 قطعه در حجم معادل هسته‌ی سلول جانوری به صورت تصادفی شبیه‌سازی شدند و نتایج براساس تعداد رخداد به ازای دز جذبی واحد (1 گری) و 1 گیگاجفت باز از ماده‌ی وراثتی سازنده‌ی یک سلول (حاوی 6 گیگا جفت باز) بهنجار شد. بیش‌ترین آمار برخورد در مدل، مربوط به حجم حساس فسفودی استر سازنده‌ی مارپیچ DNA و بیش‌ترین تعداد شکست تک‌رشته‌ای مربوط به انرژی اولیه‌ی الکترون 8 کیلوالکترون ولت بود. در این انرژی، میانگین تعداد شکست‌های تک‌رشته‌ای و دورشته‌ای به ازای یک گری از دز جذبی در هر گیگا جفت باز از ماده‌ی وراثتی سلول، به ترتیب، 6/24 و 295/0 بود. میانگین نسبت تعداد شکست دورشته‌ای به تعداد شکست تک‌رشته‌ای در این محدوده از انرژی برابر با 031/0 به دست آمد. <br />