| dc.contributor.author | قاسم نژند, محمد | fa_IR |
| dc.contributor.author | مرصوصی, فرح | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-07-09T01:29:30Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-09-30T01:29:30Z | |
| dc.date.available | 1399-07-09T01:29:30Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-09-30T01:29:30Z | |
| dc.date.issued | 2017-11-22 | en_US |
| dc.date.issued | 1396-09-01 | fa_IR |
| dc.date.submitted | 2016-09-30 | en_US |
| dc.date.submitted | 1395-07-09 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | قاسم نژند, محمد, مرصوصی, فرح. (1396). مطالعه ی خواص اپتوالکترونی نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم با استفاده از نظریه‌ی تابعی چگالی. پژوهش سیستم های بس ذره ای, 7(15), 77-87. doi: 10.22055/jrmbs.2017.13328 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2322-231X | |
| dc.identifier.issn | 2588-4980 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.22055/jrmbs.2017.13328 | |
| dc.identifier.uri | http://jrmbs.scu.ac.ir/article_13328.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/200195 | |
| dc.description.abstract | در پژوهش پیش رو تاثیرپذیری ویژگی های نوری نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم، از اندازه و ساختار مولکولی بررسی شده است. فرمول عمومی مولکول های یاد شده به صورت SinHn است که در این تحقیق فولرِین و شبه فولرین های سیلیسیمی متعددی، که کوچکترین آنها 16، و بزرگترین آنها 70 سیلیسیم را شامل می شود، انجام شده اند. تغییرات اندازه ی قطر این نانوقفس ها به طور تقریبی در بازه ی 1 تا 1.7 نانومتر قرار دارد. نظریه ی تابعی چگالی به عنوان روش محاسبات شبیه سازی های مورد نیاز در این تحقیق انتخاب شده و انجام محاسبات توسط نرم افزار گوسین صورت گرفته است. برای محاسبات مربوط به روش نظریه ی تابعی چگالی از تابعی هیبریدی B3LYP به همراه مجموعه پایه ی 6-31+G(d,p) انجام شده اند. نتایج کلی این پژوهش، در دو عبارت خلاصه می شوند: اول تغییرات گاف هومو-لومو نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم در حدود بازه ی 1 تا 2 نانومتر، نسبت به تغییر ابعاد این نانوذرات با آهنگ کوچکی صورت می گیرد. دوم وجود جفت شش گوش های متصل به هم، در ساختار این مولکول ها، باعث افزایش گاف هومو- لومو می شود. | fa_IR |
| dc.format.extent | 1638 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | دانشگاه شهید چمران اهواز | fa_IR |
| dc.publisher | Regional Information Center for Science and Technology (RICeST) | en_US |
| dc.relation.ispartof | پژوهش سیستم های بس ذره ای | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | Journal of Research on Many-body Systems | en_US |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org/10.22055/jrmbs.2017.13328 | |
| dc.subject | نانوقفس | fa_IR |
| dc.subject | فولرِین های سیلیسیمی | fa_IR |
| dc.subject | گاف هومو- لومو | fa_IR |
| dc.subject | نظریه ی تابعی چگالی | fa_IR |
| dc.subject | نرم افزار گوسین | fa_IR |
| dc.title | مطالعه ی خواص اپتوالکترونی نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم با استفاده از نظریه‌ی تابعی چگالی | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.type | مقاله پژوهشی کامل | fa_IR |
| dc.contributor.department | دانشگاه صنعتی امیرکبیر | fa_IR |
| dc.contributor.department | هیأت علمی گروه فیزیک، دانشکده مهندسی انرژی و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران | fa_IR |
| dc.citation.volume | 7 | |
| dc.citation.issue | 15 | |
| dc.citation.spage | 77 | |
| dc.citation.epage | 87 | |
| nlai.contributor.orcid | 0000-0003-4300-1620 | |
