بررسی تاثیر پارامترهای مختلف بر سینتیک رسوب‌دهی پوشش SiC اعمال شده به روش CVD بر روی کامپوزیت کربن - کربن

Abstract

در این پژوهش پس از اعمال پوشش SiC به روش رسوب­دهی شیمیایی فاز بخار (CVD) بر روی کامپوزیت کربن-کربن، به بررسی تاثیر پارامترهای مختلف بر سینتیک رسوب­دهی پرداخته شده است. به­منظور بررسی فازی پوشش SiC از آنالیز XRD، ریز ساختار کامپوزیت کربن-کربن قبل و پس از اعمال پوشش SiC از آنالیز SEM و بررسی فرآورده­های جانبی فرآیند از آنالیز EDS استفاده شده است. بر این اساس تاثیر پارامترهای دما، ترکیب گاز ورودی، زمان و موقعیت نمونه در رآکتور بر سرعت رسوب­دهی بررسی شد. نتایج نشان می­دهد با تغییر پارامترهای رسوب­دهی با توجه به تغییر مکانیزم رسوب­دهی، سرعت آن تحت تاثیر قرار می­گیرد. همچنین تصاویر SEM نشان می­دهد اندازه بلورهای SiC و ضخامت پوشش در شرایط بهینه رسوب­دهی به ترتیب حدود nm 300 و mμ3 است. در نهایت، تصویر SEM سطح کامپوزیت کربن-کربن قبل و بعد از اعمال پوشش SiC مقایسه شده است.