یک روش جدید برای تعیین و ردیابی نقطه حداکثر توان آرایه خورشیدی

Abstract

توان خروجی آرایه‌های خورشیدی به دما و شدت تابش وابسته است. آرایه‌های خورشیدی دارای بازده پایینی هستند. برای افزایش بازده سیستم فتوولتائیک، ردیابی نقطه حداکثر توان آرایه‌های خورشیدی موردنیاز است. ازطرفی پدیده‌های نامتعارفی مانند ابرها، برروی آرایه‌های خورشیدی سایه جزئی ایجاد می‌کنند که در این شرایط منحنی ولتاژ-توان آن‌ها چندین نقطه بیشینه محلی دارد. روش‌های ردیابی معمولی به‌دلیل تمایل به هم‌گرایی در نقطه حداکثر توان محلی، مناسب شرایط سایه جزئی نیستند؛ بنابراین در این مقاله، یک روش جدید ردیابی نقطه حداکثر توان باقابلیت ردیابی نقطه حداکثر توان سراسری ارائه می‌شود. روش ارائه‌شده توسط میکروکنترلر STM32F407VGT6 به همراه مبدل DC به DC از نوع باک پیاده‌سازی می‌شود. مدارهایی برای اندازه‌گیری دما و تابش ارائه می‌گردند. همچنین مقایسه‌ای بین روش پیشنهادی و روش P&O برای بررسی کارایی روش پیشنهادی انجام می‌شود. نتایج آزمایشگاهی و شبیه‌سازی صحت روش پیشنهادی را تأیید می‌کنند.