نمایش مختصر رکورد

dc.contributor.authorنعمتی, محمدfa_IR
dc.contributor.authorسفید, محمدfa_IR
dc.contributor.authorرحمتی, احمدرضاfa_IR
dc.date.accessioned1399-07-22T18:54:08Zfa_IR
dc.date.accessioned2020-10-13T18:54:10Z
dc.date.available1399-07-22T18:54:08Zfa_IR
dc.date.available2020-10-13T18:54:10Z
dc.date.issued2020-06-21en_US
dc.date.issued1399-04-01fa_IR
dc.date.submitted2019-09-17en_US
dc.date.submitted1398-06-26fa_IR
dc.identifier.citationنعمتی, محمد, سفید, محمد, رحمتی, احمدرضا. (1399). اثر تغییر موقعیت دیواره گرم و افزایش دامنه و تعداد نوسان دیواره موج دار بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال درون کانال در حضور میدان مغناطیسی. مکانیک سازه ها و شاره ها, 10(2), 219-236. doi: 10.22044/jsfm.2020.8917.3022fa_IR
dc.identifier.issn2251-9475
dc.identifier.issn2251-9483
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.22044/jsfm.2020.8917.3022
dc.identifier.urihttp://jsfm.shahroodut.ac.ir/article_1876.html
dc.identifier.urihttps://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/435890
dc.description.abstractچکیده<br /> در مقاله حاضر، اثر تغییر موقعیت منبع حرارتی بر انتقال حرارت نانوسیال تحت تأثیر میدان مغناطیسی درون کانال موج‌دار با دامنه و تعداد نوسان متغیر، به روش شبکه بولتزمن بررسی شده است. میدان مغناطیسی یکنواخت، عمود بر کانال اعمال شده است. نیمه ابتدایی دیواره بالایی کانال، موجی شکل با دامنه و تعداد نوسان متغیر در دمای ثابت سرد و نیمی از دیواره پایینی کانال با موقعیت متغیر، در دمای ثابت گرم قرار دارد. سایر دیواره‌ها نسبت به جرم و حرارت عایق شده‌اند. در این بررسی تاثیر پارامترهایی چون عدد رینولدز، کسر حجمی نانوذرات، عدد هارتمن، موقعیت قرارگیری دیواره گرم و دامنه و تعداد نوسان دیواره موج‌دار، مورد ارزیابی قرار گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که در یک موقعیت مشخص قرارگیری دیواره گرم، با افزایش سایر پارامترها ، عدد ناسلت متوسط افزایش می‌یابد. همچنین بیشترین میزان انتقال حرارت مربوط به حالتی است که دیواره گرم به ورودی کانال نزدیک‌تر است که به طور متوسط منجر به افزایش ۲۰ درصدی عدد ناسلت متوسط می‌شود. بعلاوه تأثیر افزایش عدد هارتمن بر میزان انتقال حرارت، در حالتی که دیواره گرم به خروجی کانال نزدیک‌تر باشد، بیشتر است. افزایش درصد نانوذره، انتقال حرارت را افزایش می‌دهد و این تأثیر با کاهش عدد رینولدز، افزایش می‌یابد.fa_IR
dc.format.extent3681
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.languageفارسی
dc.language.isofa_IR
dc.publisherدانشگاه صنعتی شاهرودfa_IR
dc.publisherShahrood University of Technologyen_US
dc.relation.ispartofمکانیک سازه ها و شاره هاfa_IR
dc.relation.ispartofJournal of Solid and Fluid Mechanicsen_US
dc.relation.isversionofhttps://dx.doi.org/10.22044/jsfm.2020.8917.3022
dc.subjectروش شبکه بولتزمنfa_IR
dc.subjectنانوسیالfa_IR
dc.subjectمیدان مغناطیسیfa_IR
dc.subjectکانال موجیfa_IR
dc.subjectتغییر موقعیت دیواره گرمfa_IR
dc.titleاثر تغییر موقعیت دیواره گرم و افزایش دامنه و تعداد نوسان دیواره موج دار بر انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال درون کانال در حضور میدان مغناطیسیfa_IR
dc.typeTexten_US
dc.typeمقاله مستقلfa_IR
dc.contributor.departmentدانشجوی دکتری، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه یزد، ایرانfa_IR
dc.contributor.departmentاستاد، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه یزد، ایرانfa_IR
dc.contributor.departmentاستادیار، دانشکده مهندسی مکانیک، دانشگاه کاشان، ایرانfa_IR
dc.citation.volume10
dc.citation.issue2
dc.citation.spage219
dc.citation.epage236


فایل‌های این مورد

Thumbnail

این مورد در مجموعه‌های زیر وجود دارد:

نمایش مختصر رکورد