نمایش مختصر رکورد

dc.contributor.authorانصاری, نرگسfa_IR
dc.date.accessioned1399-07-09T05:57:34Zfa_IR
dc.date.accessioned2020-09-30T05:57:34Z
dc.date.available1399-07-09T05:57:34Zfa_IR
dc.date.available2020-09-30T05:57:34Z
dc.date.issued2015-09-23en_US
dc.date.issued1394-07-01fa_IR
dc.date.submitted2015-05-23en_US
dc.date.submitted1394-03-02fa_IR
dc.identifier.citationانصاری, نرگس. (1394). بررسی برهمکنش تبادلی بر امپدانس مغناطیسی فرکانس بالا در سیم های نازک. فصلنامه فیزیک کاربردی ایران, 5(2), 5-21. doi: 10.22051/jap.2015.2106fa_IR
dc.identifier.issn2345-4911
dc.identifier.issn2645-4211
dc.identifier.urihttps://dx.doi.org/10.22051/jap.2015.2106
dc.identifier.urihttps://jap.alzahra.ac.ir/article_2106.html
dc.identifier.urihttps://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/292617
dc.description.abstractلایه‌های مغناطیسی، ترکیبی از آلیاژهای مواد مغناطیسی نرم، به عنوان دسته جدیدی از مواد مغناطیسی امروزه مورد اهمیت قرار گرفته اند. این مواد کاندیدای خوبی برای استفاده در مدارهای الکترونیکی به ویژه در فرکانسهای بالا و از طرفی برای استفاده به عنوان حسگرهای مغناطیسی هستند. در این مقاله، مطالعه خواص ترابرد لایه‌های مغناطیسی به شکل سیم رسانا متشکل از مواد مغناطیسی نرم با استفاده از طیفنگاری امپدانس آنها مد نظر می‌باشد. هدف، حل معالات موج ماکسول و لاندائو-لیفشیتز در مختصات استوانه ای و بررسی معادلات دینامیکی مغناطش ساختارهای مغناطیسی فوق، تحت میدانهای متناوب با فرکانس مایکروویو و میدان مغناطیسی یکنواخت در حد اشباع ماده می باشد. به ویژه تمرکز بر وارد نمودن ثابت تبادلی بر امپدانس مغناطیسی است که باعث ایجاد امواج اسپینی در دو حالت رزونانس و آنتی‌رزونانس علاوه بر امواج الکترومغناطیس در این ساختارها می‌شود. در نهایت، با استفاده از پارامترهای مؤثر در امپدانس مغناطیسی، پاسخ ماده برای استفاده در مدارهای الکترونیکی و حسگرهای مغناطیسی بررسی می شود.fa_IR
dc.format.extent726
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.languageفارسی
dc.language.isofa_IR
dc.publisherدانشگاه الزهراfa_IR
dc.publisherAlzahra Universityen_US
dc.relation.ispartofفصلنامه فیزیک کاربردی ایرانfa_IR
dc.relation.ispartofIranian Journal of Applied Physicsen_US
dc.relation.isversionofhttps://dx.doi.org/10.22051/jap.2015.2106
dc.subjectامپدانس مغناطیسیfa_IR
dc.subjectلاندائو-لیفشیتزfa_IR
dc.subjectثابت تبادلیfa_IR
dc.subjectمواد مغناطیسی نرمfa_IR
dc.titleبررسی برهمکنش تبادلی بر امپدانس مغناطیسی فرکانس بالا در سیم های نازکfa_IR
dc.typeTexten_US
dc.typeمقاله پژوهشیfa_IR
dc.contributor.departmentاستادیار فیزیک.دانشگاه الزهراfa_IR
dc.citation.volume5
dc.citation.issue2
dc.citation.spage5
dc.citation.epage21


فایل‌های این مورد

Thumbnail

این مورد در مجموعه‌های زیر وجود دارد:

نمایش مختصر رکورد