اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال آب-مس در محفظه T شکل مورب

Abstract

در این مقاله انتقال حرارت جابجایی آزاد نانوسیال در یک محفظه T شکل مورب پر شده از نانوسیال آب و مس تحت تاثیر میدان مغناطیسی ثابت به روش عددی بررسی شده است. دیوار بالائی محفظه در دمای سرد و سایر دیواره‌ها عایق می‌باشند. یک منبع حرارتی با دمای ثابت در کف محفظه تعبیه شده است. معادلات حاکم به روش حجم کنترل جبری شده و توسط الگوریتم سیمپل به طور همزمان حل می‌گردد. عدد هارتمن از 0 تا 80 تغییر داده شده و محفظه تحت زوایای 0 تا 90 درجه چرخیده است. نتایج نشان می‌دهند، اثر میدان مغناطیسی بر نوسلت متوسط در ریلی‌های بالا بیشتر است. در Ra=105، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب کاهش نوسلت متوسط می‌شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب افزایش نوسلت متوسط می‌شود. در Ra=106، افزایش نانوسیال، تا عدد هارتمن 20، سبب افزایش نوسلت متوسط می‌شود و در هارتمن 40 به بالا، سبب کاهش نوسلت متوسط می‌شود. همچنین نتایج نشان می‌دهد، بیشترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 105 و 106، در زاویه 5/67 درجه رخ می‌دهد و کمترین انتقال حرارت در اعداد ریلی 105 و 106، به ترتیب در زاویه صفر و 5/22 درجه رخ می‌دهد.