ارزیابی ضریب شکست نور در لایه‌های نازک سیلیکا

Abstract

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه‌های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت، دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می‌کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می‌کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می‌شود. لایه‌های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کاربردهای فراوانی دارد. در این پژوهش تأثیر ضخامت و تخلخل لایه های نازک سیلیکا بر روی ضریب شکست و میزان عبور از لایه‌های اعمالی مورد ارزیابی قرار گرفته است. سیلیکا به کمک روش <span style="font-family: Times New Roman;">Sol-Gel</span> بر روی نمونه‌هایی از جنس شیشه سودا- لیم لایه نشانی شده و به منظور بررسی‌های ساختاری، تصاویر میکروسکپی <span style="font-family: Times New Roman;">SEM</span>، آنالیز <span style="font-family: Times New Roman;">EDAX</span> و آنالیز <span style="font-family: Times New Roman;">XRD</span> از سطح لایه‌های پوشش داده شده تهیه گردیده است. همچنین به کمک اسپکتروفتومتری نوری طیف پرتوهای عبور و جذب از سطح لایه‌های نازک اعمالی تهیه و با یکدیگر مقایسه شده است. نتایج حاصل نشان می‌دهد ضخامت و تخلخل لایه مقادیر عبور و جذب امواج تابیده شده را تحت تأثیر قرار می‌دهد و هر چه از ضخامت لایه کاسته شود مقدار ضریب شکست کاهش و قابلیت عبور نور افزایش می‌یابد