مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

Abstract

مواد <span style="font-family: Times New Roman;">CuInTe₂</span> و <span style="font-family: Times New Roman;">CuInSe₂</span> از نوع مثبت (<span style="font-family: Times New Roman;">P</span> ) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال <span style="font-family: Times New Roman;">R_H</span> و تحرک هال ، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در <span style="font-family: Times New Roman;">P-CuInTe₂</span> مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش از<span style="font-family: Times New Roman;">k </span> 170 و تغییر <span style="font-family: Times New Roman;"> </span><span style="font-family: Times New Roman;">R_H</span>، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی <span style="font-family: Times New Roman;">k</span> 200-77 ثابت می ماند . در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده <span style="font-family: Times New Roman;">CuInSe₂</span> -<span style="font-family: Times New Roman;">P</span> که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است، با افزودن اندیم به دمای بیش از <span style="font-family: Times New Roman;">k</span> 150، فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله، مقادیر در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.