مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه‌های نازک Cu بر زیر لایه GaAsدر روش‌های الکتروانباشت و الکترولس

Abstract

در این تحقیق لایه‌های نازک مس بر زیرلایه‌ی نیم‌رسانای گالیوم‌آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه‌های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA 5 تاmA30 و لایه‌های الکترولس شده در دماهای مختلف ^{<span style="font-family: Arial;">o</span>}C 25،^{<span style="font-family: Arial;"> o</span>}C77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه‌ها به کمک دستگاه‌های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه‌های الکتروانباشت شده در جریان‌های مختلف انباشت و هم‌چنین زبری لایه‌های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی AFM مطالعه و با یکدیگر مقایسه می‌شوند.