| dc.contributor.author | Manavizadeh, N. | fa_IR |
| dc.contributor.author | Safa Isini, R. | fa_IR |
| dc.contributor.author | Khodayari, A. | fa_IR |
| dc.contributor.author | Asle Soleimani, E. | fa_IR |
| dc.contributor.author | Maleki, H. | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 1399-07-08T19:31:46Z | fa_IR |
| dc.date.accessioned | 2020-09-29T19:31:46Z | |
| dc.date.available | 1399-07-08T19:31:46Z | fa_IR |
| dc.date.available | 2020-09-29T19:31:46Z | |
| dc.date.issued | 2008-07-22 | en_US |
| dc.date.issued | 1387-05-01 | fa_IR |
| dc.identifier.citation | Manavizadeh, N., Safa Isini, R., Khodayari, A., Asle Soleimani, E., Maleki, H.. (1387). ایجاد تماس اهمی ساختار Ni/Cu به روش الکتروشیمیایی برروی زیر لایه های پلی کریستال سیلیکون مورداستفاده در سلول های خورشیدی. مواد و فناوری های پیشرفته, 1(2), 183-190. doi: 10.30501/jamt.2010.70136 | fa_IR |
| dc.identifier.issn | 2008-4269 | |
| dc.identifier.issn | 2008-4277 | |
| dc.identifier.uri | https://dx.doi.org/10.30501/jamt.2010.70136 | |
| dc.identifier.uri | http://www.jamt.ir/article_70136.html | |
| dc.identifier.uri | https://iranjournals.nlai.ir/handle/123456789/68616 | |
| dc.description.abstract | در این مقاله، ساختار Ni/Cu به عنوان تماس اهمی برروی بس بلور سیلیکون به روش آبکاری الکتریکی و بااستفاده از دستگاه ماوراء صوت لایه نشانی شده و مقاومت الکتریکی آن بهینه شده است. نیکل بااستفاده از حمام وات برروی زیرلایة n+-Si در زمان های 10، 20 و 40 دقیقه لایه نشانی شده و برای کاهش مقاومت سطحی و تماس لایه ای از مس به روش آبکاری الکتریکی برروی لایة نیکل انجام شده است. آنالیزهای XRD، SEM و EDX برای بررسی ساختار بلوری، ساختار سطحی و عناصر تشکیل دهندة این لایه ها انجام شده و باتوجه به ناهمواری زیاد سطح زیرلایة پلی کریستال سیلیکون، درحین لایه نشانی از دستگاه ماوراء صوت برای ایجاد تماس های اهمی با چسبندگی بسیار خوب و کیفیت بالا استفاده شده است. پس از الگودهی نقاب موردنظر برای اندازه گیری مقاومت تماس از روش مدل خط انتقال (TLM) Transmission Line Model استفاده شده و مقاومت ویژة تماس برابر Ωcm25-10�2/2 به دست آمده است که مقاومت تماس مناسبی برای کاربرد در سلول های خورشیدی پلی کریستال� سیلیکون می باشد. | fa_IR |
| dc.format.extent | 1232 | |
| dc.format.mimetype | application/pdf | |
| dc.language | فارسی | |
| dc.language.iso | fa_IR | |
| dc.publisher | پژوهشگاه مواد و انرژی | fa_IR |
| dc.publisher | Materials and Research Center (MERC) | en_US |
| dc.relation.ispartof | مواد و فناوری های پیشرفته | fa_IR |
| dc.relation.ispartof | Journal of Advanced Materials and Technologies | en_US |
| dc.relation.isversionof | https://dx.doi.org/10.30501/jamt.2010.70136 | |
| dc.subject | آبکاری الکتریکی | fa_IR |
| dc.subject | دستگاه ماوراء صوت | fa_IR |
| dc.subject | پلی کریستال سیلیکون | fa_IR |
| dc.subject | تماس اهمی | fa_IR |
| dc.subject | ساختار Ni/Cu | fa_IR |
| dc.title | ایجاد تماس اهمی ساختار Ni/Cu به روش الکتروشیمیایی برروی زیر لایه های پلی کریستال سیلیکون مورداستفاده در سلول های خورشیدی | fa_IR |
| dc.type | Text | en_US |
| dc.contributor.department | Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology | fa_IR |
| dc.contributor.department | Electerical and Computer Engineering, Tehran University | fa_IR |
| dc.contributor.department | Mechanical Engineering, K. N. Toosi University of Technology | fa_IR |
| dc.contributor.department | Electrical Engineering, K. N. Toosi University of Technology | fa_IR |
| dc.citation.volume | 1 | |
| dc.citation.issue | 2 | |
| dc.citation.spage | 183 | |
| dc.citation.epage | 190 | |
