مطالعه DFT اثرمیدان الکتریکی بر جذب برخی ترکیب های نیتروآروماتیک در سطح نانولوله روی اکسید

Abstract

<em>در این پژوهش، نظریه تابعیت چگالی </em><em> (DFT)</em><em>برای مطالعه فرایند جذب مولکول ­های 2و4و6 تری‌‌نیتروتولوئن، 2و4 دی‌‌نیتروتولوئن، تتریل و نیتروبنزن در سطح نانولوله روی اکسید (0</em><em>‚</em><em>8) و بررسی اثر میدان الکتریکی خارجی بر فرایند جذب آن­ها مورد استفاده قرار گرفته است. داده‌های به دست آمده از محاسبه­ ها نشان می‌دهد که این مولکول­ ها به ترتیب با انرژی جذب 7/61-، 54-، 7/110- و 7/61- کیلوژول بر مول در سطح نانولوله جذب شده و سبب کاهش بیش از 5/0 الکترون‌ولت در شکاف انرژی نانولوله می‌شوند. با توجه به این نتیجه ­ها افزایش رسانایی سامانه که در نتیجه کاهش شکاف انرژی نانولوله طی فرایند جذب ایجاد می‌شود، می‌تواند به عنوان </em><em>عاملی برای شناسایی مولکول ­های نیتروآروماتیک مورد‌ مطالعه استفاده شود. با اعمال میدان الکتریکی بر ساختارهای جذبی</em><em> مشخص می‌شود که با تنظیم شدت میدان الکتریکی در جهت مناسب می‌توان به مقدارهای مناسبی از انرژی جذب و شکاف انرژی در فرایند جذب این مولکول­ها در سطح نانولوله روی اکسید دست یافت.</em>