شبیه‌سازی مونت کارلوی فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و بررسی تغییر فاصله هدف تا زیرلایه بر مشخصات لایه‌ها
دریافت مدرک
FullText
اندازه فایل:
218.9کیلوبایتنوع فايل (MIME):
PDFنوع مدرک
Textپژوهشی
زبان مدرک
فارسیچکیده
در این مقاله، فرایند لایه نشانی با لیزر پالسی و در حضور گاز پس‌زمینه به روش مونت کارلو شبیه‌سازی شده است. به طور خاص رشد فلز آلومینیوم در محیط گاز زنون پس‌زمینه و در فشار 50 میلی تور شبیه‌سازی شده است. فواصل هدف - زیرلایه برابر با 10، 15، 20، 25 و 30 میلی متر در شبیه‌سازی‌ها مورد استفاده قرار گرفته‌اند. اطلاعات مکانی و انرژی توده یون‌های پلاسمایی شکل گرفته در این روش و نیز اطلاعات مشابه برای یون‌های کندوپاش شده از سطح لایه درحال رشد جمع‌آوری شده‌اند. توزیع ضخامتی لایه‌ها با استفاده از اطلاعات یون‌های عبوری و کندوپاش شده از سطح لایه محاسبه شده است. نتایج نشان‌دهندۀ احتمال شکل‌گیری حفره در مرکز لایه‌های درحال رشد به این روش و تشدید آن با کاهش فاصله هدف - زیرلایه است. نتایج شبیه‌سازی بیانگر نقش مؤثر یون‌های کندوپاش شده از سطح لایه در شکل‌گیری این نوع حفره‌ها است.
کلید واژگان
لایه نشانیلایه نشانی با لیزر پالسی
محاسبات مونت کارلو
شماره نشریه
3تاریخ نشر
2017-02-191395-12-01
ناشر
دانشگاه پیام نورPayame Noor University
سازمان پدید آورنده
استادیار، فیزیک، پژوهشکده فوتونیک و فناوری‌های کوانتومی، پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای، تهران، ایرانکارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه پیام نور
استادیار، فیزیک، دانشگاه پیام نور
کارشناسی ارشد، فیزیک، دانشگاه بوعلی سینا، همدان، ایران
