مطالعه ابتدا به ساکن بلور <spandir=ltr>CeIn3</span> در فشارهای بالا

Abstract

گرادیانهای میدان الکتریکی (EFG’s) در مکان­ In و ممان مغناطیسی اسپینی در مکان Ce در ترکیب 3 CeIn محاسبه شده­اند. محاسبات با افزایش تدریجی فشار از 5- تا 22Gpa+و با استفاده از نظریه تابعی چگالی و روش امواج تخت بهبود یافته به علاوه اربیتال موضعی و به کارگیری تقریب PBE-GGA+U و WC-GGA+U انجام شده­اند. نتایج گویای کاهش تق ر یباً خطی ممان مغناطیسی اسپینی سریم با افزایش فشار است. از نتایج به دست آمده مشاهده می­شود که گرادیانهای میدان الکتریکی­ محاسبه شده در مکان In ؛ به عکس, با افزایش فشار افزایش می­یابند. گرادیانهای میدان الکتریکی در فشار صفر را با نتایج نظری دیگران و نتایج تجربی مقایسه کرده­ایم. مقایسه انجام شده نشان می­دهد که گرادیانهای میدان الکتریکی نسبت به نتایج دیگران با تجربه در فشار صفر سازگاری بیشتری دارد. نتایج نشان می­دهند که ممان مغناطیسی اسپینی در یک نقطه بحرانی کوانتمی خاص فرو نشانده می­شود.