پایداری سامانه اندازه‌گیری طول عمر پوزیترون و بررسی نوع و غلظت عیب ناشی از تابش الکترون‌های 10 مگا الکترون ولتی بر نمونه‌های سیلیکونی نوع n و p

Abstract

طیف‌سنجی طول عمر نابودی پوزیترون در ماده، یکی از روش‌های با ارزش و غیر مخرب در زمینه مطالعه مواد است که می‌تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الکترونی، غلطت عیب، نوع عیب و اتم‌های اطراف عیب ارائه دهد. در این تحقیق، پایداری زمان‌سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفکیک زمانی دستگاه با چشمه کبالت، 365 پیکوثانیه به دست آمده است. نمونه‌های سیلیکونی نوع n و p تحت تابش باریکه الکترون با مقادیر دز تابشی متفاوت 3، 12 و 30 کیلوگری با انرژی MeV 10 و حداقل جریان باریکه mA 2/0 قرار گرفته است. آمار جمع‌آوری شده برای هر نمونه، حداقل یک میلیون و دویست هزار شمارش است که معمولا طی یک شبانه روز ثبت می‌شود. طیف‌های ثبت شده، با برنامه رایانه‌ای ‌ PAScualبه سه مؤلفه طول عمر برازش، تجزیه و تحلیل شده است. اولین مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون درچشمه و حدود ps 186، دومین مؤلفه طول عمر مربوط به نابودی پوزیترون در حجم نمونه و حدود ps218 و سومین مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون در عیوب است که برای نمونه‌های مختلف، کوچک و متفاوت می‌باشد.